Walton Chaintech выпустила 4-ГБ наборы памяти APOGEE GT DDR2-1150 и DDR2-1200
Сообщается, что новые наборы высокопроизводительной памяти теперь предлагают пользователю не только более высокое быстродействие и ёмкость, но и доступны по более конкурентной цене.
Память выполнена на 8-слойных печатных платах, специально разработанных для этих модулей и удовлетворяющих жестким требованиям стандартов JEDEC. На них размещаются чипы памяти в упаковке BGA, организация памяти модулей — 128M x 8.
Пропускная способность памяти APOGEE GT DDR-1150 составляет внушительные 9,6 ГБ/с. Это вполовину больше, чем могут предложить стандартные модули памяти DDR2-800. Тайминги памяти APOGEE GT DDR2-1150 и 1200, оптимизированной для работы в 2-канальном режиме, равны CL 5-5-5-15.
За охлаждение модулей отвечают фирменные радиаторы-теплоотводы с оребрением. Их эффективность позволяет использовать память в соседних слотах на системной плате без перегрева и принудительного обдува. Память APOGEE GT DDR2-1150 и 1200 проходит, как заявлено, жесткий отбор и высокотемпературное тестирование.
